参数资料
型号: 2N6895TX
厂商: HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 1160 mA, 100 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF
文件页数: 4/4页
文件大小: 193K
代理商: 2N6895TX
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PDF描述
2N6895TXV 1160 mA, 100 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF
2N6895TX 1160 mA, 100 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF
2N6931 10 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
2N6987 0.6 A, 60 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6989JX 0.8 A, 50 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2N6896 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-204AA
2N6897 制造商:RCA 功能描述:MOSFET Transistor, P-Channel, TO-204AA
2N6898 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:POWER MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS
2N689A 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:TO 48 25 Amp Scr
2N690 功能描述:SCR 600V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube