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参数资料
| 型号： | 2N6896 |
| 厂商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | 2N6896 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6896TX | 6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| 2N6898TXV | 25 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
| 2N6898TX | 25 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
| 2N6898TX | 25 A, 100 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE |
| 2N6901TXV | 1690 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6897 | 制造商:RCA 功能描述:MOSFET Transistor, P-Channel, TO-204AA |
| 2N6898 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:POWER MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
| 2N689A | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:TO 48 25 Amp Scr |
| 2N690 | 功能描述:SCR 600V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| 2N690 | 制造商:International Rectifier 功能描述:SCR Thyristor |
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