| 型号: | 2N6897TX |
| 厂商: | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类: | JFETs |
| 英文描述: | 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| 文件页数: | 3/4页 |
| 文件大小: | 202K |
| 代理商: | 2N6897TX |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6897TX | 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
| 2N6921 | 15 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N6920 | 15 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 2N696-JQR-B | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N6978 | 5 A, 500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6898 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:POWER MOS FIELD-EFFECT TRANSISTORS |
| 2N689A | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:TO 48 25 Amp Scr |
| 2N690 | 功能描述:SCR 600V 25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流(Ih 最大值):75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| 2N690 | 制造商:International Rectifier 功能描述:SCR Thyristor |
| 2N6901 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 1.69A 3-Pin TO-39 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2N6901 - Bulk |