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参数资料
| 型号： | 2N7000/E6 |
| 厂商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
| 封装： | PLASTIC, TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | 2N7000/E6 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7000L-18 | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
| 2N7000LTR | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
| 2N7002TT2 | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| 2N7002T | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| 2N7000LTA | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7000G | 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000-G | 功能描述:MOSFET 60V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000-G P002 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET |
| 2N7000-G P003 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET |
| 2N7000-G P005 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET |
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