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参数资料
| 型号： | 2N7000/J18Z |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 197K |
| 代理商： | 2N7000/J18Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1073 | 4 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD2234 | 3 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220F17 |
| 2SD833 | 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD847 | 15 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3P |
| 2SK2240 | 5 A, 450 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7000K | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:N Channel MOSFET ESD Protected 2000V |
| 2N7000KL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
| 2N7000KL | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET N TO-92 |
| 2N7000KL-TR1 | 功能描述:MOSFET 60V (DS) .47A .8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000KL-TR1-E3 | 功能描述:MOSFET 60V (DS) .47A .8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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