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参数资料
| 型号： | 2N7000 |
| 厂商： | GE Security, Inc. |
| 英文描述： | DMOS Transistors (N-Channel) |
| 中文描述： | DMOS晶体管（N沟道） |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | 2N7000 |
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES 2N7000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N869A | 200 mA, 18 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
| 2NT91-10K | TOGGLE SWITCH, DPDT, LATCHED, PANEL MOUNT-THREADED |
| 2S307A.MOD | 100 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AA |
| 2SA1202-O | 400 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1734T2G | 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N-7000 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2N7000 AMO | 功能描述:MOSFET TRENCH 31V-99V G2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000,126 | 功能描述:MOSFET TRENCH 31V-99V G2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-92 |
| 2N7000/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Small Signal MOSFET 200 mAmps， 60 Volts |
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