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参数资料
| 型号： | 2N7000BUJ18Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | 2N7000BUJ18Z |
2N7000BU/2N7000TA
BV
DSS = 60 V
R
DS(on) = 5.0 Ω
I
D = 200 mA
60
200
110
1000
±30
400
3.2
- 55 to +150
300
312.5
--
n Fast Switching Times
n Improved Inductive Ruggedness
n Lower Input Capacitance
n Extended Safe Operating Area
n Improved High Temperature Reliability
Advanced Small Signal MOSFET
Thermal Resistance
Junction-to-Ambient
RθJA
℃/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C=25℃)
Continuous Drain Current (T
C=100℃)
Drain Current-Pulsed
①
Gate-to-Source Voltage
Total Power Dissipation (T
C=25℃)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8? from case for 5-seconds
Characteristic
Value
Units
Symbol
I
DM
V
GS
I
D
P
D
T
J , TSTG
T
L
mA
V
mW
mW/℃
mA
V
DSS
V
TO-92
1.Source 2. Gate 3. Drain
℃
Rev. A
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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