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参数资料
| 型号： | 2N7000L-2TR1 |
| 厂商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | 2N7000L-2TR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7000L18-2 | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
| 2N7000RLRA | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000ZL1G | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000 | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000 | 210 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7000L-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| 2N7000L-T92-K | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| 2N7000L-T92-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| 2N7000P | 功能描述:MOSFET - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000RLRA | 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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