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参数资料
| 型号： | 2N7002_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Electrical Characteristics (continued)
2N7000 / 2N7002 /NDS7002A
1.1
2
1.075
I D = 250μA
1
V GS = 0V
0 .5
1.05
T J = 1 2 5 ° C
1.025
1
0.975
0.95
0 .1
0 .0 5
0 .0 1
0 .0 0 5
25°C
-5 5 ° C
0.925
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEM PERATURE (°C)
125
150
0 .0 0 1
0 .2
0 .4
V SD
0 .6 0 .8 1 1 .2
, BODY DIODE FORW A RD VOLTAGE (V)
1 .4
60
40
20
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
C iss
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
10
V DS = 2 5 V
8
10
5
C oss
C rss
6
4
I D = 5 0 0 m A
2
f = 1 MHz
V GS = 0V
2
280m A
115m A
1
0
1
2
3
5
10
20
30
50
0
0 .4
0 .8
1 .2
1 .6
2
V DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
V DD
t on
t off
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V IN
R L
90%
90%
V GS
R GEN
G
D
DUT
V OUT
Output, Vout
Input, Vin
10%
50%
50%
10%
90%
Inverted
S
10%
Pulse Width
Figure 11.
Figure 12. Switching Waveforms
2N7000.SAM Rev. A1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A22AH | SW TOGGLE DPDT RT ANG BRKT PCB |
| B32669C3564K | FILM CAP 0.5600UF 10% 250VAC |
| FVXO-LC53BR-344.39161 | OSC 344.39161 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B25834U7605K11 | MKV CAPACITOR 6UF 1000V |
| 5008.0111 | APPLIANCE INLET W/ FLTR 1A M5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002DCSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 2N7002DSPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:Dual N-Channel Enhancement MOS FET |
| 2N7002DW | 功能描述:MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002DW _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| 2N7002DW H6327 | 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:OptiMOS™ 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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