参数资料
型号: 2N7002
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封装: SOT-23, 3 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 65K
代理商: 2N7002
2009. 11. 17
2/4
2N7002
Revision No : 4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Gate Threshold Voltage
Vth
VDS=VGS, ID=250 A
1.1
1.8
2.3
V
Drain-Source ON Resistance
RDS(ON)
VGS=10V, ID=500mA
-
1.2
1.8
VGS=5V, ID=50mA
-
1.5
2.1
Drain-Source ON Voltage
VDS(ON)
VGS=10V, ID=500mA
-
0.6
0.9
V
VGS=5V, ID=50mA
-
0.075
0.105
On State Drain Current
ID(ON)
VGS=10V, VDS= 2 VDS(ON)
500
-
mA
Forward Transconductance
gFS
VDS=10V, ID=500mA
200
580
-
mS
Drain-Source Diode Forward Voltage
VSD
VGS=0V, IS=200mA (Note1)
-
0.78
1.15
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Input Capacitance
Ciss
VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz
-
47.1
-
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
-
3.5
-
Output Capacitance
Coss
-
8.8
-
Switching Time
Turn-On Time
ton
VDD=30V, RL=155 , ID=190mA,
VGS=10V
-
8.8
-
nS
Turn-Off Time
toff
-
14.8
-
OUT
OUTPUT, V
10%
90%
50%
f
t
r
t
IN
INPUT, V
INVERTED
PULSE WIDTH
d(on)
t
d(off)
t
on
t
off
t
SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
GS
V
VDD
R L
VOUT
DUT
D
G
S
IN
V
(Note 3) Pulse Test : Pulse Width 80 , Duty Cycle 1%
相关PDF资料
PDF描述
2N7002 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7008P003 230 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N703 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
2N703 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
2N703 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
相关代理商/技术参数
参数描述
2N7002 _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
2N7002 215 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述:
2N7002 BK 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):115mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.59nC(4.5V) 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,500
2N7002 H6327 功能描述:MOSFET N-Channel 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2N7002 L6327 功能描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube