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参数资料
| 型号： | 2N7002C1A-JQRS.SEM |
| 厂商： | SEMELAB LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-23 COMPATIBLE, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 289K |
| 代理商： | 2N7002C1A-JQRS.SEM |
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE MOSFET
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Document Number 8551
Issue 1
Page 1 of 4
2N7002C1
VDSS = 60V , ID = 115mA, RDS(ON) = 7.5
Fast Switching
Low Threshold Voltage
Integral Source-Drain Body Diode
Hermetic Ceramic Surface Mount Package (SOT-23 compatible)
High Reliability Screening Options Available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A = 25°C unless otherwise stated)
VDS
Drain – Source Voltage
60V
VGS
Gate – Source Voltage
±40V
ID
Continuous Drain Current
TC = 25°C
115mA
ID
Continuous Drain Current
TC = 100°C
75mA
IDM
Pulsed Drain Current
(1)
800mA
PT
Total Power Dissipation at
TA ≤ 25°C
350mW
De-rate TC > 25°C
2.8mW/°C
TJ
Operating Temperature Range
-55 to +150°C
Tstg
Storage Temperature Range
-55 to +150°C
THERMAL PROPERTIES
Symbols
Parameters
Max
Units
RθJA
Thermal Resistance, Junction To Ambient
357
°C/W
Notes
(1)
Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
(2)
Pulse Width ≤ 300us, δ ≤ 2%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002C1B | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002C1B-JQRS.CVB | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 2N7002C1B-JQRS.GBDM | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002C1A-JQRS.GBDM | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002CK | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH60V0.3ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.3A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.3A,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.75V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| 2N7002CK,215 | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002CKVL | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:55pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:10,000 |
| 2N7002CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 2N7002-D87Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 基本零件编号:2N7002 标准包装:1 |
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