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参数资料
| 型号： | 2N7002C1B |
| 厂商： | SEMELAB LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOT-23 COMPATIBLE, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 289K |
| 代理商： | 2N7002C1B |
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE MOSFET
2N7002C1
Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
Document Number 8551
Issue 1
Page 3 of 4
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
2
1
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004)
1.91 ± 0.10
(0.075 ± 0.004)
3.05 ± 0.13
(0.12 ± 0.005)
2
.5
4
±
0
.1
3
(0
.1
0
±
0
.0
0
5
)
0
.7
6
±
0
.1
5
(0
.0
3
±
0
.0
0
6
)
1.40
(0.055)
max.
0.31
(0.012)
rad.
3
1.02 ± 0.10
(0.04 ± 0.004)
4
R
0.
56
(0
.0
22
)
R0.31
(0.012)
See
Package
Variant
Table
C1
Underside View
PACKAGE VARIANT TABLE
Variant
Pad 1
Pad 2
Pad 3
Pad 4
A
Gate
Source
Drain
No Pad (3-Pins Only)
B
Gate
Source
Drain
Lid Shield Contact *
* The additional contact provides a connection to the lid in the application. Connecting the metal lid to a known electrical potential stops deep
dielectric discharge in space applications; see the Space Weather link www.semelab.co.uk/mil/lcc1_4 on the Semelab web site. Package variant to
be specified at order.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002C1B-JQRS.CVB | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002C1B-JQRS.SS | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002C1B-JQRS.GBDM | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002C1A-JQRS.GBDM | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002C1B-JQRS.RAD | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002CK | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH60V0.3ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.3A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.3A,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.75V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| 2N7002CK,215 | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002CKVL | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS? 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:1.3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:55pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.6 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:10,000 |
| 2N7002CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR |
| 2N7002-D87Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 基本零件编号:2N7002 标准包装:1 |
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