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参数资料
| 型号： | 2N7002DW-7-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN DUAL 60V SOT363 |
| 产品变化通告： | Wire Change 16/Sept/2008 |
| 其它图纸： | SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2N7002DW-FDIDKR |
2N7002DW
1.0
7
6
0.8
5
0.6
0.4
4
3
2
0.2
1
0
0
1 2 3
4
5
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1 On-Region Characteristics
6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2 On-Resistance vs. Drain Current
5
1.5
4
1.0
V GS = 5.0V, I D = 0.05A
3
2
0.5
1
0
-55 -30 -5 20 45 70 95 120 145
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3 On-Resistance vs. Junction Temperature
1
R DS(on)
Limited
DC
0.1
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
0.01
P W = 100μs
0
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.001
T J(max) = 150°C
T A = 25°C
Single Pulse
0.1
1 10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5 SOA, Safe Operation Area
2N7002DW
Document number: DS30120 Rev. 16 - 2
3 of 5
www.diodes.com
November 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3707ZCLPBF | MOSFET N-CH 30V 59A TO-262 |
| FXO-HC335R-80 | OSC 80 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 445W33L12M00000 | CRYSTAL 12.00000 MHZ 12PF SMD |
| 445W33K12M00000 | CRYSTAL 12.00000 MHZ 8PF SMD |
| 445W33E12M00000 | CRYSTAL 12.00000 MHZ 20PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002DW-7-F-79 | 制造商:DIODES 功能描述:Dual N-Channel Mosfet / SOT-363 (LEADFREE) |
| 2N7002DWA-7 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSF N CH DL 60V 180MA SOT363 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:Dual N-Ch 60V Enh 8Ohm at 5V VGS |
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| 2N7002DWH6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:60V,0.3A,dual N-channel power MOSFET 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:60V,0.3A,Dual N channel Power MOSFET |
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