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参数资料
| 型号： | 2N7002V |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 20/Aug/2008 |
| 产品目录绘图： | SOT-523F, SC89-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563F |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 2N7002VDKR |
April 2010
2N7002V/VA
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
?
?
?
?
?
?
?
?
Dual N-Channel MOSFET
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Ultra-Small Surface Mount Package
Lead Free By Design/RoHS Compliant
(Pin4)
SOT - 563F
* Pin1 and Pin4 are exchangeable.
Marking : AB
Marking : AC
Absolute Maximum Ratings *
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V DGR
Parameter
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage R GS ≤ 1.0M Ω
Value
60
60
Units
V
V
V GSS
I D
Gate-Source Voltage
Drain Current
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
±20
±40
280
1.5
V
mA
A
T J , T STG
Junction and Storage Temperature Range
-55 to +150
° C
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.
Thermal Characteristics
Symbol
P D
R θ JA
Parameter
Total Device Dissipation
Derating above T A = 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient *
Value
250
2.0
500
Units
mW
mW/°C
° C/W
* Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch, Minimum land pad size.
? 2010 Fairchild Semiconductor Corporation
2N7002V/VA Rev. A1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 34CMSP41B2M6RT | TOG SMIN SPDT O-O-O RAH LF |
| 34CMSP12B4M7RT | TOG SMIN SPDT O-N-O N RAV LF |
| B32529C3154K | CAP FILM 0.15UF 250VDC RADIAL |
| 34CMSP12B4M6RT | TOG SMIN SPDT O-N-O N RAH LF |
| 34CMSP12B1M7RT | TOG SMIN SPDT O-N-O T RAV LF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7002V_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2N7002V_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 2N7002V-7 | 功能描述:MOSFET 60V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002V-7-F | 功能描述:MOSFET 60V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7002V-7-L | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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