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参数资料
| 型号： | 2N7052D26Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 314K |
| 代理商： | 2N7052D26Z |
2N7052
/
2N7053
/
NZT7053
NPN Darlington Transistor
(continued)
Typical Characteristics (continued)
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
10
100
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
BA
SE
EMITTER
VOL
T
A
GE
(V)
C
BE
SA
T
β = 1000
125 °C
25 °C
- 40°C
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
P06
10
100
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
BA
SE
EMITTE
R
ON
VOL
T
A
GE
(V)
C
BE
ON
V = 5V
CE
125 °C
25 °C
- 40°C
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
P06
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-
C
OLLEC
T
O
R
CUR
RENT
(nA
)
A
CB
O
V
= 80V
CB
Junction Capacitance vs
Reverse Bias Voltage
0.1
1
10
100
1
10
100
REVERSE BIAS VOLTAGE (V)
J
U
N
C
T
IO
N
CA
P
A
CI
T
A
NC
E
(
p
F
)
C cb
C ib
Typical Collector-Emitter Leakage
Current vs Temperature
040
80
120
160
0.1
1
10
100
1000
T - JUNCTION TEMPERATURE ( C)
I
-
L
E
AK
AG
E
C
U
R
E
N
T
(
n
A)
J
CE
S
V
= 80V
CE
V
= 0
BE
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
255075
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
TEMPERATURE ( C)
P
-P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
(W
)
D
o
TO-92
SOT-223
TO-226
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7053/D27Z-J05Z | 1500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N7053-J61Z | 1500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2N7053/D75Z | 1500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N7053-J05Z | 1500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7053 | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N7053_D26Z | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N7053_D74Z | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N7053_D75Z | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2N7053_Q | 功能描述:达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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