型号: | 2N760A |
厂商: | SEMITRONICS CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
封装: | TO-18, 3 PIN |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 304K |
代理商: | 2N760A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2N1613B | 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
2N2221A | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
2N3072 | 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
2N2193A | 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
2N2645 | 90 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2N760AL | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
2N760B | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
2N7622U2 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) |
2N7632UC | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED60V, Combination 1N-1P-CHANNELLOGIC LEVEL POWER MOSFET |
2N7635-GA | 功能描述:两极晶体管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |