型号: | 2N916G4 |
厂商: | SEMELAB LTD |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
封装: | HERMETIC SEALED, METAL, TO-18, 3 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 10K |
代理商: | 2N916G4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N916.MODG4 | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA |
2N916 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
2N916 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
2N918 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72 |
2N918JX | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N917 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Low Noise RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N917A | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal NPN Transistors / Dual Transistors |
2N918 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN VHF Osc RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N918_04 | 制造商:SEMICOA 制造商全称:SEMICOA 功能描述:Silicon NPN Transistor |
2N918_1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |