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参数资料
| 型号： | 2PA1576QT/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2PA1576QT/R |
2PA1576_6
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 06 — 17 November 2009
2 of 7
NXP Semiconductors
2PA1576
PNP general-purpose transistor
4.
Marking
[1]
* = -: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
5.
Limiting values
[1]
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
6.
Thermal characteristics
[1]
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
Table 3.
Marking codes
Type number
Marking code[1]
2PA1576Q
F*Q
2PA1576R
F*R
2PA1576S
F*S
Table 4.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VCBO
collector-base voltage
open emitter
-
60
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
-
50
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
-
6V
IC
collector current (DC)
-
150
mA
ICM
peak collector current
-
200
mA
IBM
peak base current
-
200
mA
Ptot
total power dissipation
Tamb ≤ 25 °C
[1] -200
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
-
150
°C
Tamb
ambient temperature
65
+150
°C
Table 5.
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
[1] --625
K/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PA1774RT/R | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PA1774ST/R | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PB710AT/R | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PB710A-T | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PC4617SM,315 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2PA1576R | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general-purpose transistor |
| 2PA1576R /T3 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PA1576R T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin SC-70 T/R |
| 2PA1576R,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PA1576R,135 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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