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参数资料
| 型号： | 2PA1774QJT/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 2PA1774QJT/R |
DATA SHEET
Product specication
Supersedes data of 2000 Dec 12
2001 Aug 03
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PA1774J
PNP general purpose transistor
M3D425
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PA1774SJ | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2PA733K | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2PA733Q | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2PB1219ART/R | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2PA1774QM | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistor |
| 2PA1774QM T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PA1774QM,315 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PA1774QMB | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP 40V 0.1A SOT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP, 40V, 0.1A, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP, 40V, 0.1A, SOT883B; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:120; Operating Temperature Min:-55C; Operating ;RoHS Compliant: Yes |
| 2PA1774QMB,315 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 40V 100mA PNP General Purpose Tran RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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