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参数资料
| 型号： | 2PA1774RT/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SC-75, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 335K |
| 代理商： | 2PA1774RT/R |
2PA1774_5
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 05 — 17 November 2009
2 of 7
NXP Semiconductors
2PA1774
PNP general-purpose transistor
4.
Marking
5.
Limiting values
[1]
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
6.
Thermal characteristics
[1]
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
Table 3.
Marking codes
Type number
Marking code
2PA1774Q
YQ
2PA1774R
YR
2PA1774S
YS
Table 4.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VCBO
collector-base voltage
open emitter
-
60
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
-
50
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
-
6V
IC
collector current (DC)
-
150
mA
ICM
peak collector current
-
200
mA
IBM
peak base current
-
100
mA
Ptot
total power dissipation
Tamb ≤ 25 °C
[1] -150
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
-
150
°C
Tamb
ambient temperature
65
+150
°C
Table 5.
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
[1] --833
K/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PA1774ST/R | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PB710AT/R | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PB710A-T | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PC4617SM,315 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PC4617ST/R | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2PA1774S | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general-purpose transistor |
| 2PA1774S T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PA1774S,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PA1774SJ | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-490 |
| 2PA1774SJ,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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