参数资料
型号: 2PB1219AQ-TAPE-13
厂商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件页数: 1/3页
文件大小: 63K
代理商: 2PB1219AQ-TAPE-13
相关PDF资料
PDF描述
2PB1219S-TAPE-13 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2PB709S-TAPE-7 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2PB709R 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2PB709Q-TAPE-13 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2PB709S 100 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2PB1219AR 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
2PB1219AR /T3 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AR T/R 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AR,115 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2PB1219AR,135 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2