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参数资料
| 型号： | 2PB1219ART/R |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 197K |
| 代理商： | 2PB1219ART/R |
1999 Apr 12
2
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistor
2PB1219A
FEATURES
High current (max. 500 mA)
Low voltage (max. 50 V)
Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification.
DESCRIPTION
PNP transistor in a SOT323; SC70 plastic package.
NPN complement: 2PD1820A.
MARKING
Note
1.
= - : Made in Hong Kong.
= t : Made in Malaysia.
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE(1)
2PB1219AQ
D
Q
2PB1219AR
D
R
2PB1219AS
D
S
PIN
DESCRIPTION
1
base
2
emitter
3
collector
Fig.1
Simplified outline (SOT323; SC70)
and symbol.
handbook, halfpage
MAM048
Top view
2
1
3
2
3
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Refer to SOT323; SC70 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
VCBO
collector-base voltage
open emitter
60
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
50
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
5
V
IC
collector current (DC)
500
mA
ICM
peak collector current
1
A
IBM
peak base current
200
mA
Ptot
total power dissipation
200
mW
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
150
°C
Tamb
operating ambient temperature
65
+150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PB1219AST/R | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2PB1219AS | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistor |
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| 2PB1219AS,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PB1219AS,135 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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