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参数资料
| 型号： | 2PB709AQW |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 99K |
| 代理商： | 2PB709AQW |
2SA1892
2004-07-07
4
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Co
lle
cto
rcu
rr
en
t
I C
(A)
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
C
ollec
tor
po
wer
dis
si
pati
o
n
P
C
(W
)
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
C
ollect
or
c
urre
nt
I C
(
A
)
2.0
0
0.5
1.0
1.5
0.4
0.8
1.2
1.6
Common emitter
VCE = 2 V
25
Ta = 100°C
55
10
0.02
0.3
0.03
0.05
0.1
3
5
1
3
10
30
100
*
: Single nonrepetitive
pulse Ta = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
VCEO max
1 ms*
10 ms*
100 ms*
DC operation
Ta = 25°C
1
0.3
0.5
0
0.2
0.6
0.8
1.2
1.4
1.6
25
50
75
100
125
150
175
1.0
0.4
Pulse width tw (s)
rth – tw
T
ran
si
en
tth
er
ma
lr
e
si
st
an
ce
r th
(
°C
/W
)
0.001
1000
0.01
0.1
100
10
1
300
10
100
30
3
1
Curves should be applied in thermal limited area.
(Single nonrepetitive pulse) Ta = 25°C
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