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参数资料
| 型号： | 2PD1820AQ-T |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SC-70, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2PD1820AQ-T |
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 1997 May 22
1999 Apr 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PD1820A
NPN general purpose transistor
dbook, halfpage
M3D187
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PD1820AST/R | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PD601AQ,115 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 2PD601AT/R | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PD602ARL/DG | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 2PD602AQL/DG | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2PD1820AR | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN general purpose transistor |
| 2PD1820AR T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD1820AR,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD1820AS | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:NPN General Purpose Transistor |
| 2PD1820AS T/R | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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