型号: | 2PD602AR-TAPE-7 |
厂商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 61K |
代理商: | 2PD602AR-TAPE-7 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2PD602AS | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN general purpose transistor |
2PD602AS,115 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2PD602ASL | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors |
2PD602ASL,215 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 50V 500MA NPN GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2PD602ASL,235 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |