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参数资料
| 型号： | 2SA0963R |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1.5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | TO-126A-A1, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | 2SA0963R |
2SA0963
3
SJD00006BED
Safe operation area
0.001
0.1
0.01
0.1
1
10
1
10
100
Single pulse
TC
= 25°C
t
= 10 ms
t
= 1 s
ICP
IC
Collector
current
I
C
(A)
Collector-emitter voltage V
CE (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA0963Q | 1.5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
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| 2SA1008-K | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA1008-L | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA1010-M-AZ | 7 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA-10 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Integrated 2-Axis Hall Sensor |
| 2SA100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Ge PNP Drift |
| 2SA1004 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92-40V -.1A .31W EBC |
| 2SA1005-K(A) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1006 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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