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参数资料
| 型号： | 2SA1015G-Y-T92-B |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | 2SA1015G-Y-T92-B |
2SA1015
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R201-004.C
TYPICAL CHARACTERISTICS
Static characteristics
Collector-Emitter Voltage, BVCEO (V)
-0
-4
-8
-12
-16
-20
0
-10
-20
-30
-40
-50
IB=-300A
DC Current Gain
Collector current, IC (mA)
VCE=-6V
IB=-250A
IB=-200A
IB=-150A
IB=-100A
IB=-50A
-10-1
-100
-101
-102
-103
100
101
102
103
Base-Emitter on Voltage
Base-Emitter Voltage, BVBEO (V)
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
VCE=-6V
Collector Current, IC (mA)
Saturation voltage
IC=10xIB
-10-1
-100
-101
-102
-10-1
-100
-101
-102
-103
-10-2
-10-1
-100
-101
VCE(SAT)
VBE(SAT)
Current Gain-Bandwidth Product
Collector Output Capacitance
Collector current, IC (mA)
VCE=-6V
Collector-Base Voltage, BVCBO (V)
f=1MHz
IE=0
-10-1
-100
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