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参数资料
| 型号： | 2SA1122D |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPAK-3 |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SA1122D |
2SA1122
4
Package Dimensions
0.16
0 – 0.1
+ 0.10
– 0.06
0.4
+ 0.10
– 0.05
0.95
1.9
± 0.2
2.95
± 0.2
2.8
+
0.2
–
0.6
0.65
1.5
±0.15
0.65
1.1
+
0.2
–
0.1
0.3
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Mass (reference value)
MPAK
—
Conforms
0.011 g
As of January, 2001
Unit: mm
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1122C | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1122C | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1127S | 100 mA, 55 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1129 | 7 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SA1129-L | 7 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1123 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification) |
| 2SA11230RA | 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 50MA TO-92 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1123R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1123S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
| 2SA1123T | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
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