参数资料
型号: 2SA1145-O
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 50 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 138K
代理商: 2SA1145-O
2SA1145
2006-11-09
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
IC – VCE
Base-emitter voltage VBE (V)
DC
curre
nt
gain
h
FE
Collector current IC (mA)
hFE – IC
T
ransi
tion
fr
equen
cy
f
T
(MHz)
Collector current IC (mA)
fT – IC
Colle
ctor-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
CE
(sat)
(V)
Collector current IC (mA)
VCE (sat) – IC
Collector-base voltage VCB (V)
Cob – VCB
Colle
ct
or
o
utpu
tca
pa
cit
an
ce
C
ob
(pF)
Common emitter
VCE = 5 V
50
0
10
20
30
40
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
Ta
= 100°C
25
1.2
25
1
0.5
IE
= 0
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
300
1
3
10
100
3
5
10
0.3
0
30
0.5
Common emitter
Ta
= 25°C
5
VCE = 10V
1000
1
3
10
30
100
300
3
1
Common emitter
VCE = 5V
10
0.3
1000
30
100
300
1
3
10
50
25
Ta
= 100°C
30
Common emitter
Ta
= 25°C
0
50
10
IB = 0.1 mA
20
30
40
2
4
6
8
10
12
0.2
14
0
0.3
0.5
0.4
Common emitter
IC/IB = 10
1
0.03
0.3
0.5
0.05
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Ta
= 100°C
25
3
25
相关PDF资料
PDF描述
2SA1174 50 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1188DTZ-E 100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1188E 100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1188E 100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1189DRF 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA1145-O(F) 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk
2SA1145-O(TE6,F,M) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor PNP 150V 0.05A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1145-O(TPE6,C) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:PNP, (140V), 0.05A, 900MW - Tape and Reel
2SA1145-O(TPE6,F) 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP (140V) 0.05A 900mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1145-OTPE6C 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:PNP, (140V), 0.05A, 900MW - Tape and Reel