型号: | 2SA1163-GR |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
封装: | S-MINI, 2-3F1A, SC-59, TO-236MOD, 3 PIN |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 265K |
代理商: | 2SA1163-GR |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SA1163-BL | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
2SA1163 | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
2SA1171PEUL | 50 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1171PDUR | 50 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SA1171PD01 | 50 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SA1163-GR(T5L,F,T | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TOS2SA1163-GR(T5L,F,T 77 TRANSISTOR |
2SA1163-GR(TE85L,F | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:PB SMALL SIGNAL TRANSISTOR - Tape and Reel 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
2SA1163-GR(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
2SA1163-GR,LF | 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 |
2SA1163GRT5LFT | 功能描述:两极晶体管 - BJT x34 Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |