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参数资料
| 型号： | 2SA1182TE85R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2SA1182TE85R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1182YTE85L | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1182TE85L | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1189-E | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1189-D | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1189 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1182Y | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
| 2SA1182-Y | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1182-Y(TE85L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
| 2SA1182-Y,LF | 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 |
| 2SA1182-Y-TE85L | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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