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参数资料
| 型号： | 2SA1359-O |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-8H1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | 2SA1359-O |
2SA1359
2006-11-09
3
C
ol
le
ct
or
po
we
rdi
ss
ip
at
io
n
P
C
(W)
Colle
ctor-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
CE
(sat)
(V)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
Collector current IC (A)
hFE – IC
DC
curre
nt
gain
h
FE
Base-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
Collector current IC (A)
VCE (sat) – IC
Ambient temperature Ta (°C)
PC – Ta
Safe Operating Area
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(A
)
Collector-emitter voltage VCE (V)
(1) Tc = Ta Infinite heat sink
(2) No heat sink
0
40
60
100
80
20
12
0
4
2
6
(1)
(2)
120
140
160
8
10
IC – VCE
25
Common emitter
VCE = 2 V
0
2.8
0
0.8
1.2
0.4 0.6
Tc = 100°C
25
1.8
0.8
0.2
0.4
1.6
2.0
1.0 1.2 1.4 1.6
2.4
25
0.03
300
Common emitter
VCE = 2 V
20
50
100
1000
0.1
0.3
3
Tc = 100°C
25
1
0.01
500
1
3
10
30
0.1
0.3
1
3
5
*: Single nonrepetitive
pulse Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
0.5
10
100
IC max (pulsed)*
IC max (continuous)
VCEO max
1 ms*
10 ms*
500 ms*
DC operation
Tc = 25°C
25
Common emitter
IC/IB = 10
1
0.05
0.1
0.3
Tc = 100°C
25
0.03
0.1
0.3
3
1
0.01
0.5
0
Common emitter
Tc = 25°C
3.2
1.2
2.4
3.2
5.6
4.0
100
40
30
80
20
IB = 10 mA
60
1.6
0.8
0.4
0.8
1.6
2.0
2.4
2.8
4.8
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