- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33309 > 2SA1380-E (SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD) 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA1380-E |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | TO-126, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SA1380-E |
No.1425-3/5
2SA1380/2SC3502
--1.0
23
3
57
--10
7 --100
5
22
7
100
10
5
7
5
2
3
5
3
2
ITR03332
fT -- IC
2SA1380
VCE=--30V
1.0
23
3
57
10
7 100
5
22
7
100
10
5
2
3
7
1000
5
3
2
ITR03333
fT -- IC
2SC3502
VCE=30V
7 --10
27 --100
2
3
--1.0
23
5
7
5
1.0
7
10
5
7
5
3
2
ITR03334
Cob -- VCB
2SA1380
f=1MHz
2SC3502
f=1MHz
7 10
27
100
2
3
1.0
23
5
7
5
1.0
7
10
5
7
5
3
2
ITR03335
Cob -- VCB
7 --10
27 --100
2
3
--1.0
23
5
7
5
1.0
7
10
5
7
5
3
2
ITR03336
Cre -- VCB
2SA1380
f=1MHz
2SC3502
f=1MHz
7
10
27 100
2
3
1.0
23
5
7
5
1.0
7
10
5
7
5
3
2
ITR03337
Cre -- VCB
1000
100
10
ITR03330
hFE -- IC
2
3
57
7
3
25
2
1.0
10
100
2
3
5
7
2
3
5
1.0
3
77
23
5
7
5
10
100
5
22
7
10
5
100
5
3
2
3
2
ITR03331
2SA1380
VCE=10V
2SC3502
VCE=10V
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
Ta=75°C
25
°C
--25°C
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–M
H
z
Collector Current, IC –mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–M
H
z
Collector Current, IC –mA
Output
Capacitance,
Cob
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Re
v
erse
T
ransfer
Capacitance,
Cre
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Re
v
erse
T
ransfer
Capacitance,
Cre
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1384-Y | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1384TE12L | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1384TE12R | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1384 | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1384-O | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1381 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1381CSTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1381DSTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1381ESTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1381FSTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。