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参数资料
| 型号： | 2SA1381F-RA |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | 2SA1381F-RA |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1381F-LT | 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1370-AF | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SA1358-O | 1 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1358-Y | 1 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1360-Y | 0.05 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1381FSTU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1382 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-92MOD -50V -2A .9W ECB |
| 2SA1382(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
| 2SA1382,T6MIBF(J | 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:停產 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 33mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:150 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:110MHz 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体 供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 |
| 2SA1384-O(TE12L,CF | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
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