- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33375 > 2SA1406 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA1406 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | TO-126, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2SA1406 |
No.1765-3/4
2SA1406/2SC3600
--1.0
7
--10
7
--100
35
22
7
1000
100
5
7
5
3
2
ITR03485
fT -- IC
2SA1406
VCE= --30V
3
1.0
7
10
7
100
53
5
22
7
100
5
2
7
1000
5
3
ITR03486
fT -- IC
2SC3600
VCE=30V
7
--10
27 --100
3
--1.0
23
5
57
1.0
7
10
5
7
5
3
2
ITR03487
Cob -- VCB
2SA1406
f=1MHz
2SC3600
f=1MHz
7
10
27
100
3
1.0
23
5
57
1.0
7
10
5
7
5
3
2
ITR03488
Cob -- VCB
7
--10
27
--100
3
--1.0
23
5
57
1.0
7
10
5
7
5
3
2
ITR03489
Cre -- VCB
2SA1406
f=1MHz
2SC3600
f=1MHz
7
10
27
100
3
1.0
23
5
57
1.0
7
10
5
7
5
3
2
ITR03490
Cre -- VCB
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–M
H
z
Collector Current, IC –mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–M
H
z
Collector Current, IC –mA
Output
Capacitance,
Cob
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Re
v
erse
T
ransfer
Capacitance,
Cre
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Re
v
erse
T
ransfer
Capacitance,
Cre
–
p
F
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
ITR03491
VCE(sat) -- IC
5
--10
22
--1.0
33
55
77
--100
7
--0.1
--1.0
5
3
5
7
2
2SA1406
IC / IB=10
ITR03492
VCE(sat) -- IC
55
57
10
2
1.0
23
37
100
7
0.1
7
1.0
5
7
3
5
2
2SC3600
IC / IB=10
Collector Current, IC –mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC –mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3600-F | 0.1 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SC3606TE85L | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SC3606 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3606 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3607TE12R | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1407E | 功能描述:TRANS PNP 200V 150MA TO126-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1408-O(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 150V 1.5A 3-Pin TO-126IS |
| 2SA1409 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY NEC TRANSISTOR TO-92-25V -.15A .25W ECB |
| 2SA1411 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY NEC TRANSISTOR SC-59-25V -.15A .2W SURFACE MOUNT |
| 2SA1412-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,400V,2.0A,TO-252 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT 400V 2KA 3-Pin(3+Tab) SC-64 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。