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参数资料
| 型号： | 2SA1413-Z-E2 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | MP-3, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | 2SA1413-Z-E2 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1413-ZL-E1 | Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1413-ZK-E1 | Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1413-ZL-E2 | Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1418 | 700 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SA1426-Y | 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1413-Z-K-E1-AZ | 制造商:Renesas 功能描述:2SA1413-Z-K-E1-AZ |
| 2SA1415S-TD-E | 制造商:SANYO 功能描述:omo 160V 0.14A 140 to 280 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 160V 0.14A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SA1416S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1416T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1417S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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