参数资料
型号: 2SA1416
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 1000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243
封装: PCP, 3 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 43K
代理商: 2SA1416
No.2005-3/4
2SA1416/2SC3646
VBE(sat) -- IC
ITR03535
ITR03534
2
--0.01
57
73
2
--0.1
57
3
--1.0
2
--0.01
--0.1
57
73
2
--1.0
57
32
0.01
0.1
57
73
2
1.0
57
3
--1.0
--10
2
3
5
7
3
5
7
2
0.01
57
73
2
0.1
57
3
1.0
10
2
3
5
7
3
5
7
--1000
--100
2
3
5
7
2
3
5
7
VBE(sat) -- IC
ITR03533
hFE -- IC
ITR03532
ITR03530
IC -- VBE
57
73
2
--0.01
--0.1
57
3
23
2
--1.0
--0.4
--0.2
0
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
0.4
0.2
0
0.6
0.8
1.2
1.0
10
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
57
73
2
0.01
0.1
57
3
23
2
1.0
10
100
1000
5
7
3
2
5
7
3
2
--0.6
--0.8
0
--0.4
--0.2
--1.0
--1.2
0.6
0.8
0
0.4
0.2
1.0
1.2
ITR03531
2SA1416
VCE=--5V
2SC3646
VCE=5V
IC -- VBE
hFE -- IC
2SA1416
VCE=--5V
2SC3646
VCE=5V
ITR03536
VCE(sat) -- IC
100
2
3
5
7
1000
2
3
5
7
ITR03537
VCE(sat) -- IC
2SC3646
IC / IB=10
2SA1416
IC / IB=10
2SA1416
IC / IB=10
--
25
°C
25
°C
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
Ta=75°C
--
25
°C
25
°C
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
Ta=75°C
75
°C
25
°C
Ta=--25°C
--25
°C
25
°C
75
°C
25
°C
Ta=--25°C
2SC3646
IC / IB=10
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
Ta=75°C
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC –A
Collector Current, IC – A
Collector Current, IC –A
Collector Current, IC – A
Collector Current, IC –A
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
m
V
相关PDF资料
PDF描述
2SC3647-R 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1417-T 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3647-R 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3647-T 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1417-R 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA1416S-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1416T-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1417S-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1417T-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1418 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR