- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41455 > 2SA1417 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SA1417 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 封装： | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | 2SA1417 |
2SA1417 / 2SC3647
No.2006-2/5
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10A, IE=0A
(--)120
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)100
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10A, IC=0A
(--)6
V
Turn-On Time
ton
See specified Test Circuit.
(80)80
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(750)1000
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(40)50
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
7007A-004
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : PCP
2.5
4.0
1.0
1.5
0.5
0.4
3.0
4.5
1.6
0.4
12
3
1.5
0.75
Top View
Bottom View
VR
RB
VCC=50V
VBE= --5V
+
50
INPUT
OUTPUT
RL
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
10IB1= --10IB2=IC=0.7A
For PNP, the polarity is reversed.
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
ITR03542
0--2
--1
--4
--3
--5
2
14
35
0
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
ITR03543
--20mA
--30mA
--10mA
--5mA
--3mA
--2mA
--1mA
IB=0mA
2SA1417
2SC3647
IB=0mA
20mA
30mA
50mA
40mA
10mA
5mA
3mA
2mA
1mA
--40mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3647S | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SA1461Y22-T1B | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1461Y24-T2B-A | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1461-T2B | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1461Y24-T1B | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1417S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1417T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1418 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1418S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1418T-TD-E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP PNP 0.7A 160V - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / BIP PNP 0.7A 160V |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。