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参数资料
| 型号： | 2SA1419 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 305K |
| 代理商： | 2SA1419 |
2SA1419 / 2SC3649
No.2007-4/5
f T -- IC
Cob -- VCB
Collector Current, IC -- A
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
MHz
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
A S O
PC -- Ta
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Dissipation,
P
C
-
W
Ambient Temperature, Ta --
°C
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
Collector Current, IC -- A
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
mV
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
ITR03580
ITR03579
2
0.01
57
3
0.1
22
57
3
1.0
2
--0.01
--0.1
57
73
2
--1.0
57
32
3
2
0.01
0.1
57
73
2
1.0
57
32
3
100
10
2
3
5
7
2
3
5
2
1.0
57
3
10
25
7
3
100
10
100
2
3
5
7
3
5
7
--1000
--100
2
3
5
7
2
3
2
3
5
7
ITR03581
2
5
7
1000
2
3
5
7
100
3
2
3
ITR03582
2SC3649
IC / IB=10
2SA1419
IC / IB=10
--25
°C
25
°C
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
Ta=75°C
2SA1419
2SC3649
2SA1419
2SC3649
2SA1419 / 2SC3649
ITR03583
--1.0
--10
3
5
7
3
5
7
2
0.01
3
0.1
5
7
5
7
2
3
1.0
5
7
2
3
2
7 --0.01
--0.1
57
3
2
--1.0
57
3
23
27 0.01
0.1
57
3
2
1.0
57
3
23
2
1.0
73
2
1.0
10
5
3
7
2
5
3
7
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0
20
80
100
60
40
160
140
120
ITR03584
ITR03585
Mounted
on
a
ceramic
board
(250mm
2
0.8mm)
No heat
sink
7
10
53
23
2
7 100
5
ITR03586
1ms
10
ms
100
m
s
DC
operation
For PNP, minus sign is omitted
Single pulse Ta=25
°C
Mounted on a ceramic board (250mm2
0.8mm)
2SA1419
IC / IB=10
2SC3649
IC / IB=10
25
°C
75
°C
Ta=--25°C
25
°C
75
°C
Ta=--25°C
2SA1419 / 2SC3649
ICP=2.5A
IC=1.5A
For PNP, minus sign is omitted
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3649S | 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1422 | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1425-O | 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1428 | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1429-O | 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1419S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1419S-TD-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1419T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1419T-TD-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1420 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. T0-92-50V -.1A .4W ECB |
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