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参数资料
| 型号： | 2SA1419T-TD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 2SA1419T-TD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4080C2-TD | 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SA1575F1-TD | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SA1575D1-TD | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SC4080F2-TD | 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SC3647R-TD | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1419T-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1419T-TD-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1420 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. T0-92-50V -.1A .4W ECB |
| 2SA1423 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-92 -50V -.1A .4W ECB |
| 2SA1425-O | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
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