参数资料
型号: 2SA1419T
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ULTRA SMALL, PCP, 3 PIN
文件页数: 2/5页
文件大小: 305K
代理商: 2SA1419T
2SA1419 / 2SC3649
No.2007-2/5
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=(--)120V, IE=0A
(--)1
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=(--)4V, IC=0A
(--)1
μA
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)5V, IC=(--)100mA
100*
400*
hFE2VCE=(--)5V, IC=(--)10mA
80
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)10V, IC=(--)50mA
120
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(22)14
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)50mA
(--200)130 (--500)450
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)500mA, IB=(--)50mA
(--)0.85
(--)1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)180
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)160
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(40)40
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(0.7)1.2
μs
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
(40)80
ns
*: The 2SA1419 / 2SC3649 are classified by 100mA hFE as follows:
Rank
R
S
T
hFE
100 to 200
140 to 280
200 to 400
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm (typ)
7007B-004
INPUT
100V
50Ω
RL
100μF
470μF
--5V
IC=10IB1=--10IB2=0.7A
(For PNP, the polarity is reversed)
+
VR
PW=20μs
D.C.≤1%
RB
IB1
IB2
相关PDF资料
PDF描述
2SC3649T 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1419 1500 mA, 160 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3649S 1500 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1422 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1425-O 800 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA1419T-TD-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1419T-TD-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1420 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. T0-92-50V -.1A .4W ECB
2SA1423 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO-92 -50V -.1A .4W ECB
2SA1425-O 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk