参数资料
型号: 2SA1451A
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 12 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: 2-10R1A, 3 PIN
文件页数: 1/5页
文件大小: 149K
代理商: 2SA1451A
2SA1451A
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1451A
High-Speed, High-Current Switching Applications
Low collector saturation voltage
: VCE (sat) = 0.4 V (max) (IC = 6 A)
High-speed switching: tstg = 1.0 s (typ.)
Complementary to 2SC3709A
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
6
V
Collector current
IC
12
A
Base current
IB
2
A
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
PC
30
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-10R1A
Weight: 1.7 g (typ.)
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