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参数资料
| 型号： | 2SA1586TE85R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | 2SA1586TE85R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1586GRTE85R | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1608-T2Y12 | 500 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1608 | 500 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1608-T1Y13 | 500 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1608-T2Y13 | 500 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1586Y(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP -50V -0.15A 120 to 240 USM Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin USM |
| 2SA1586-Y(T5L,F,T) | 功能描述:两极晶体管 - BJT -150mA -50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1586-Y(TE85L | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor |
| 2SA1586Y(TE85L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
| 2SA1586-Y(TE85L,F) | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO - 50V to -150mA HFE 70-400 1dB 10dB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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