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参数资料
| 型号： | 2SA1618TE85L |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 2SA1618TE85L |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1689E | 50 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SA1694Y | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1700 | 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-252 |
| 2SA1729R | 1.5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243 |
| 2SA1738Q | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1618-Y | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SA1618-Y(TE85L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |
| 2SA1619 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-92NL-30V -1A 1W ECB |
| 2SA1619ARA | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO .5A TO-92NL RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA1619ASA | 功能描述:TRANS PNP 50VCEO .5A TO-92NL RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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