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参数资料
| 型号： | 2SA1680 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92MOD, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | 2SA1680 |
2SA1680
2004-07-26
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1680
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)
(IC = 1 A)
High collector power dissipation: PC = 900 mW (Ta = 25 °C)
High-speed switching: tstg = 300 ns (typ.)
Complementary to 2SC4408.
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
6
V
Collector current
IC
2
A
Base current
IB
0.2
A
Collector power dissipation
PC
900
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 60 V, IE = 0
―
1.0
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
―
1.0
A
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
50
―
V
hFE (1)
VCE = 2 V, IC = 100 mA
120
―
400
DC current gain
hFE (2)
VCE = 2 V, IB = 1.5 A
40
―
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 1 A, IB = 0.05 A
―
0.5
V
Base-emitter saturation voltage
VBE (sat)
IC = 1 A, IB = 0.05 A
―
1.2
V
Transition frequency
fT
VCE = 2 V, IC = 100 mA
―
100
―
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
―
23
―
pF
Turn-on time
ton
―
0.1
―
Storage time
tstg
―
0.3
―
Switching time
Fall time
tf
IB1 = IB2 = 0.05 A, duty cycle ≤ 1%
―
0.1
―
s
Unit: mm
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
―
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
I B1
20 s
VCC = 30 V
Output
30
IB1
IB2
Input
I B2
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