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参数资料
| 型号： | 2SA1703-R |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | 2SA1703-R |
No.3023-2/4
2SA1703/2SC4483
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* : The 2SA1703/2SC4483 are classified by 50mA hFE as follows :
k
n
a
RR
S
T
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F
0
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t
0
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8
2
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t
0
4
10
0
4
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t
0
2
--1mA
--2mA
--3mA
--4mA
--8mA
--6mA
--5mA
ITR04239
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1mA
2mA
3mA
4mA
5mA
0
--2
--4
--5
--1
--3
IC -- VCE
IB=0
2SA1703
ITR04238
02
4
5
13
IC -- VCE
IB=0
2SC4483
--7mA
6mA
2SA1703
VCE=--2V
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
--1.6
--1.4
--1.2
--0.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
1.6
1.4
1.2
0.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
IC -- VBE
ITR04240
2SC4483
VCE=2V
T
a=75
°C
25
°C
--25
°C
IC -- VBE
ITR04241
Ta=75
°C
--25
°C
hFE -- IC
2SA1703
VCE=--2V
ITR04242
100
10
7
5
3
2
5
3
2
--1.0
2
--0.1
3
27
5
--0.01
3
27
75
5
100
10
7
5
3
2
5
3
2
1.0
2
0.1
3
27
5
0.01
3
27
75
5
hFE -- IC
Ta=75°C
--25°C
25
°C
2SC4483
VCE=2V
ITR04243
25
°C
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V
Collector
Current,
I C
–
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE – V
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4483-S | 1500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1703-S | 1500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1703T | 1500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1703R | 1500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1703R | 1500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1704S-AN | 制造商:SANYO 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 25V, 2.5A, SC-71 Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR PNP 25V 2.5A SC-71 |
| 2SA1705S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1705T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1706S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1706T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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