参数资料
型号: 2SA1704-T
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 2500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: NMP, 3 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 40K
代理商: 2SA1704-T
No.3024-3/4
2SA1704/2SC4484
VCE(sat) -- IC
ITR04265
Ta=75
°C
25
°C
--25
°C
2SC4484
IC / IB=20
2SC4484
f=1MHz
100
2
3
5
7
10
--1.0
--10
23
5
7
2
3
5
Cob -- VCB
ITR04262
2SA1704
f=1MHz
--0.01
57
2
3
5
7
2
3
5
2
3
5
7
--0.1
--1.0
3
2
7
5
3
2
7
5
--1000
5
7
--100
--10
VCE(sat) -- IC
ITR04264
Ta
=7
C
25°
C
--25
°C
2SA1704
IC / IB=20
100
7
5
7
10
5
3
2
3
2
1000
--10
3
25
7
3
23
2
57
--100
--1000
f T -- IC
2SA1704
VCE=--10V
ITR04260
f T -- IC
2SC4484
VCE=10V
ITR04261
Cob -- VCB
ITR04263
5
2
3
2
7
5
100
7
5
10
0.01
5
7
23
5 7
23
5
7
0.1
23
5
1.0
100
0.01
Ta=75°C
25°C
--25°C
5
3
2
7
5
10
2
3
57
2
0.1
35
7
2
1.0
32
3
57
5
2SC4484
VCE=2V
hFE -- IC
ITR04259
hFE -- IC
100
--0.01
1000
7
5
3
2
7
5
2
3
23
5
57
--0.1
72
3
5
7 --1.0
25
3
2SA1704
VCE=--2V
ITR04258
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
100
7
5
7
10
5
3
2
3
2
1000
10
3
25
7
3
23
2
57
100
1000
100
2
3
5
7
10
1.0
10
23
5
7
2
3
5
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC – mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC – mA
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
mV
Collector Current, IC – A
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
mV
相关PDF资料
PDF描述
2SC4484-S 2500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4484-T 2500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1704-T 2500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1704-R 2500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4484-T 2500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA1705S-AN 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1705T-AN 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1706S-AN 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1706T-AN 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1707S-AN 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2