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参数资料
| 型号： | 2SA1705T |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | 2SA1705T |
No.3025-2/4
2SA1705/2SC4485
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Pl
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b
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IC
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,
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0
5
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(
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B
A
m
0
5
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(
=
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0
8
1
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0
2
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,
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0
5
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–
(
=
B
A
m
0
5
)
–
(
=9
.
0
)
–
(2
.
1
)
–
(V
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i
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a
C
t
u
p
t
u
OC b
o
V B
C
z
H
M
1
=
f
,
V
0
1
)
–
(
=5
.
8
)
2
1
(F
p
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l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
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s
a
B
-
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t
-
r
o
t
c
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ll
o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
μ
0
1
)
–
(
=
E 0
=0
6
)
–
(V
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t
l
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V
n
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k
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-
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c
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ll
o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
0
5
)
–
(V
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g
a
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o
V
n
w
o
d
k
a
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s
a
B
-
o
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-
r
e
t
i
m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
μ
0
1
)
–
(
=
C 0
=5
)
–
(V
e
m
I
T
N
O
-
n
r
u
Tt N
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u
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r
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C
t
s
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T
d
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f
i
c
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p
s
e
S0
4V
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m
i
T
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g
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t
St g
t
s
t
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C
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S
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0
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(s
n
0
5
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m
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e
i
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c
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p
s
e
S0
3s
n
* : The 2SA1705/2SC4485 are classified by 100mA hFE as follows :
k
n
a
RR
S
T
h E
F
0
2
o
t
0
10
8
2
o
t
0
4
10
0
4
o
t
0
2
Switching Time Test Circuit
VR
RL
VCC=25V
VBE= --5V
10IB1= --10IB2= IC=500mA
(For PNP, the polarity is reversed.)
+
50
Ω
INPUT
OUTPUT
RB
100
μF
470
μF
PW=20
μs
IB1
IB2
D.C.
≤1%
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
12
4
35
0
IC -- VCE
ITR04271
IC -- VBE
2SC4485
VCE=2V
2SC4485
--25
°C
25
°C
Ta
=
7
5°
C
ITR04273
25
°C
--25
°C
T
a=75
°C
2SA1705
VCE= --2V
--1200
--200
--400
--600
--800
--1000
0
0--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
IC -- VBE
ITR04272
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
--1
--2
--4
--3
--5
IC -- VCE
ITR04270
2SA1705
IB=0
--1mA
--2mA
--4mA
--6mA
--8mA
--10mA
--12mA
IB=0
1mA
2mA
3mA
4mA
5mA
6mA
7mA
9mA
8mA
10mA
1200
200
400
600
800
1000
0
01.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1707T | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1707R | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1709-S | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1709-R | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4489R | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1705T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1706S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1706T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1707S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1707T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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