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参数资料
| 型号： | 2SA1706-R |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | NMP, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2SA1706-R |
No.3026-2/5
2SA1706/2SC4486
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s
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S0
3s
n
Switching Time Test Circuit
VR
RL
VCC=25V
VBE= --5V
10IB1= --10IB2= IC=500mA
(For PNP, the polarity is reversed.)
+
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
IB2
D.C.
≤1%
IC -- VCE
ITR04287
2SC4486
--2.4
--2.0
--1.6
--1.2
--0.8
--0.4
0
--0.4
--0.8
--2.0
--1.6
--2.4
--1.2
IC -- VCE
ITR04286
2SA1706
IB=0
--2mA
--6mA
--8mA
--4mA
--10mA
--20mA
--50mA
IB=0
2mA
4mA
8mA
15mA
25mA
40mA
50mA
IC -- VCE
ITR04289
2SC4486
IC -- VCE
ITR04288
2SA1706
IB=0
--1mA
--2mA
--3mA
--4mA
--6mA
--5mA
--7mA
IB=0
1mA
2mA
3mA
4mA
5mA
6mA
7mA
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.4
0.8
2.0
1.6
2.4
1.2
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
--2
--4
--10
--8
--12
--6
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
024
10
812
6
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE – V
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–
A
Collector
Current,
I C
–
A
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4486 | 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1706-S | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1706T | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1706S | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1706 | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1706S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1706T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1707S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1707T-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1708S-AN | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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