参数资料
型号: 2SA1706-T
厂商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: NMP, 3 PIN
文件页数: 3/5页
文件大小: 42K
代理商: 2SA1706-T
No.3026-3/5
2SA1706/2SC4486
2SC4486
f=1MHz
2
3
5
7
100
7
10
5
--10
--100
--1.0
57
23
5
7
23
Cob -- VCB
ITR04296
2SA1706
f=1MHz
100
1000
7
10
5
3
2
7
5
3
2
3
25
7
--10
--100
3
23
2
57 --1000
f T -- IC
2SA1706
VBE= --10V
ITR04294
f T -- IC
2SC4486
VBE=10V
ITR04295
Cob -- VCB
ITR04297
Ta=75°C
25°C
--25°C
2SC4486
VCE=2V
hFE -- IC
ITR04293
hFE -- IC
100
--0.01
1000
7
5
3
2
7
5
3
2
23
5
57
--0.1
72
3
5
7 --1.0
23
2SA1706
VCE= --2V
ITR04292
Ta=75
°C
--25
°C
25
°C
0.01
23
5
57
0.1
72
3
5
7
1.0
23
7
5
7
10
100
5
3
2
10
100
1.0
57
23
5
7
23
IC -- VBE
2SC4486
VCE=2V
--25
°C
25
°C
T
a=75
°C
ITR04291
25
°C
--25
°C
T
a=75
°C
2SA1706
VCE= --2V
--2.4
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
0
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
IC -- VBE
ITR04290
2.4
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
01.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
100
1000
7
5
3
2
7
5
3
2
100
1000
7
10
5
3
2
7
5
3
2
3
25
7
10
100
3
23
2
57 1000
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – A
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC – mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
MHz
Collector Current, IC – mA
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Collector
Current,
I C
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
相关PDF资料
PDF描述
2SA1706-R 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC4486 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1706-S 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1706T 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1706S 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SA1706T-AN 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1707S-AN 功能描述:两极晶体管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1707T-AN 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1708S-AN 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SA1708T-AN 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2